与逻辑工艺一样，内存芯片工艺在进入20nm节点之后也陷入了难以制造的境地，三星作为全球内存一哥虽然走在了技术开发的前列，但是在新一代内存研发上也面临困难，最新消息称13nm工艺的内存已经宣告失利。

简单说下，内存工艺在20nm节点之后就有不同断代方法，之前用的是1x、1y、1z，后来又有了1a、1b、1c工艺，不过三星、SK海力士及美光三大内存巨头的实际工艺也不完全是这样，有时公布的还是数字+nm命名的，反正内存工艺命名是有些混乱的。

总体来说，三星在DRAM工艺上是最先进的，2020年率先研发成功1z工艺内存，大概是15nm级别的，2021年又宣告研发成功1a工艺内存，也就是14nm工艺的，还首次使用了EUV光刻工艺。

再往下就是1b工艺了，大概是12-13nm级别，三星去年宣布成立专门的研发团队攻克1b工艺内存，然而最新消息称三星已经中断了研发，13nm级别的内存被间接承认失败。

内存工艺在14nm之后是否就此停滞？现在还不好说，三星也表示会对研究方向进行探讨，我们现在能知道的就是14nm之后的研发会很难，哪怕突破1nm工艺，2年时间都没搞定。