Intel承认在EUV光刻上犯错:当年太自信

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Intel承认在EUV光刻上犯错:当年太自信

最近几年,台积电及三星在半导体工艺上超越了Intel,后者在14nm节点之前都是全球最先进的半导体公司,然而在10nm节点面临各种困难,给了对手可乘之机。

Intel在这个过程中是如何被超越的?CEO基辛格日前接受了采访,特别提到了Intel在EUV光刻工艺上的选择错误。

在EUV技术研发上,Intel是全球重要推手,ASML研发EUV光刻机也得到了Intel的不少帮助,但是Intel在10nm节点没有选择EUV光刻,而是尝试了新的SAQP四重曝光技术,它们的目标是不依赖EUV光刻机也能生产先进工艺。

基辛格表示,当初这个目标是很好的,然而SAQP曝光工艺非常复杂,成本高,随着时间的推移,Intel站在了EUV错误的一边,基辛格表示当时应该至少有一个并行的EUV战略才对。

基辛格所说的这个事其实就是过去几年中Intel在10nm工艺上多次跳票的关键,这两年才算是搞定了10nm工艺的量产,现在改名为Intel 7工艺。

至于EUV工艺,Intel现在也重视起来了,跟ASML的合作很好,今年底量产的Intel 4工艺就是Intel首个EUV工艺,用于首发量产14代酷睿Meteor Lake,明年上市。

Intel承认在EUV光刻上犯错:当年太自信

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作者: diannaodiy

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