国产芯片欲弯道超车:曝长江存储跳过192层闪存 直接切入232层

国产芯片欲弯道超车:曝长江存储跳过192层闪存 直接切入232层

2016年成立的长江存储,于2017年通过自主研发和国际合作的方式,设计制造了首款3D NAND闪存。2019年,长江存储晶栈 Xtacking架构的第二代3D TLC闪存量产,2…

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