国产芯片欲弯道超车:曝长江存储跳过192层闪存 直接切入232层

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国产芯片欲弯道超车:曝长江存储跳过192层闪存 直接切入232层

2016年成立的长江存储,于2017年通过自主研发和国际合作的方式,设计制造了首款3D NAND闪存。2019年,长江存储晶栈 Xtacking架构的第二代3D TLC闪存量产,2020年,第三代TLC/QLC研发成功,推进到128层3D堆叠。

在闪存领域,通常将堆叠层数视作技术先进程度的指标。

DT报道称,业内人士给出消息称,长江存储计划跳过192层,直接切入232层闪存生产。

这是什么概念?

根据此前韩国研究机构OERI的一份报告,其表示中韩闪存技术差距目前已经缩短至两年,理由是三星和SK海力士明年初会量产超200层闪存,长江存储则要到2024年,现在来看,它们低估了长江存储的技术储备。

另外,此前传出长江存储有望打入苹果供应链,为iPhone等产品供货闪存的说法,倘若最终实现,那么无疑将有着打破产业格局的动能。

国产芯片欲弯道超车:曝长江存储跳过192层闪存 直接切入232层

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作者: diannaodiy

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